第三季来临，存储市场的价格走势备受关注！

上游厂商在DRAM的报价跟上个月相比，涨幅多达两位数，预估DDR4第三季报价将持续上涨。

业内也看好DDR4行情，预期第三季涨幅有望10%以上。

原厂近期纷纷展开第三季合约报价谈判。

市场普遍预期，价格将延续高阶产品强势、中低阶产品呈现分歧走势。

其中原因与原厂持续执行减产及调整产品组合息息相关。

收到上游厂商DRAM报价，和上个月相比，两位数字涨幅，比预期还要再更高一点。

主要是三星宣布停产之后，基本上也都完全没有供货了，还是以旧的库存，想办法去供应客户。

较大涨幅主要来自DDR4。第二季价格持续上涨，预料第三季将维持涨势。

DDR5供货需求相对稳定，价格波动不大。

DDR4预计价格将延续第二季涨幅的态势，最主要是来自HBM市场。

在需求端还有一定需求的情况下，预计DDR4第三季价格的涨势，还是有机会达到10%以上。

受惠于AI应用推动，企业级SSD需求升温，有望带动NAND Flash报价在第三季续涨。

尽管涨势远不及DDR4，整体涨幅可能在高个位数。

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02 SK海力士推动韩国市场上涨

韩国综合股价指数（KOSPI）创下今年上半年主要股市最高涨幅，贡献最大的是SK海力士。

三星电子的贡献却并不大。

据韩国交易所数据，截至今年6月底，KOSPI指数成分股的市值总计2447万亿韩元，比去年12月底的1905.8万亿韩元增长28.4%（54.1万亿韩元），KOSPI指数上半年的涨幅在G20股市中位居第一。

SK海力士遥遥领先。

SK海力士市值从去年年底的124.6万亿韩元飙升至212.6万亿韩元，占韩国综合股价指数市值增幅的16.6%。

外资买盘的大幅涌入，很大程度上得益于SK海力士在DRAM市场中的领先地位。

接下来，市值增长较快的有三星电子6.7%（35.2万亿韩元）、斗山能源6.1%（32.2万亿韩元）、韩华Aerospace 4.5%（23.5万亿韩元）、现代Rotem 3%（15.8万亿韩元）、SK Square 2.6%（13.7万亿韩元）、韩华海洋 2.4%（12.7万亿韩元）、韩国电力2.4%（12.7万亿韩元）。

SK海力士贡献率为5.9%，保持第一，而三星电子贡献率仅1.8%，位列第五。

截至6月底，三星电子在韩国综合股价指数中市值份额最高，达14.5%，但上半年上涨了12.4%，低于韩国综合股价指数的涨幅，贡献相对较弱。

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 03  利多出尽，南亚科连续下跌

近期因DDR4产线缺货爆涨价潮，市场看好南亚科因此受惠，但却传出现货报价再上涨有压力，业内指出短期报价过热，但终端消费需求不强，南亚科已连8跌、跌破50元（新台币）。

全球三大存储巨头三星、美光、SK海力士宣告停产传统制程DDR4，市场供给减少，价格应声上涨、反超DDR5，南亚科迎来转机。

但现货价过热、终端需求未明，如今卖压涌现，连续多日跌跌不休。

南亚科迄今已连8日跌，累计下跌约18%，短线修正压力沉重。

股民见状纷纷直呼每天都在跌、跌到心里发寒。

分析师指出，DDR4短期报价过热，与过去DDR3淘汰时最多30%的价格倒挂相比，本轮涨幅明显偏高，但终端消费需求状况不强，恐限制未来采购强度，因此预估再涨空间有限。

先前南亚科搭上DDR4现货报价急涨的顺风车，股价连日高涨，6月19日盘中一度冲上61.5元高点，创下2024年7月底以来新高；不料自20日开始股价却出现明显拉回，一路持续走低，至24日失守5日线，27日又跌破月线支撑，随后更进一步跌破50元防线，成为修正最剧烈的厂商。

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04  HBM4竞争，三星电子期待逆转

第10纳米第6代DRAM开发完成，解决设计难题"中央配线层"，改善发热、提高收率，下半年提供HBM4样品，SK海力士能否独占鳌头备受关注。

三星电子使出了新一代存储器竞争的胜负手。

三星最新的HBM4 12Hi即将采用1c nm DRAM Die，而这项技术的量产进度预期将显着影响三星DS部门未来一至两年的营收。

在此之前，SK海力士与美光科技也分别完成第六代20nm至10nm级制程的DRAM技术开发，显示三大原厂在迈向更先进的制程节点上持续竞争，正式逼近10nm阶段。

随着AI应用对高效能存储需求急速提升，DRAM制程持续缩小将成为提升密度与效率的关键。

而1c nm制程技术的推进，将成为存储产业竞争力与市占率变化的重要转折点。

三星电子结束了第6代(1c)DRAM的开发，确保了应对HBM4的基础。

修改了DRAM芯片内部起到电力和信号来往的核心通道作用的"中央配线层"结构，同时改善了发热和性能问题。 

此前，改善中央配线层结构一直被认为是长期以来的难题。 

因此有评价认为，三星已经进入了重新夺回存储器技术主导权的转折点。

三星电子存储器事业部获得了适用10纳米级1c工艺的DRAM内部批量生产许可(（Production Readiness Approval；PRA)。 

PRA并不是说成功批量生产,而是意味着已经做好了批量生产的准备。

 还必须通过收益率稳定化和客户的质量标准、信赖性试验。

1c是三星电子最新的DRAM工艺。 这是以10纳米工艺为基础，随着世代的提高，电路线宽会更加紧密，存储器容量和性能也会提高。

此次工艺的特点是，将极紫外线(EUV)光刻设备应用于多层的超微设计。 

特点是全面更换绝缘结构和材料，减少了电池干扰和泄漏电流，同时确保了发热控制能力和良率稳定性。

特别是三星还修改了一直在设计瓶颈的中央配线层结构。 

中央配线层是在DRAM内部将电力和控制信号分配到存储单元的核心路径。 

工艺越精细，配线密度就越高，发热和信号干涉问题就越严重，但此次在减少配线面积的同时，成功提高了电力传达效率和热稳定性。

三星电子计划以此次成果为基础，在HBM4竞争中谋求反转。 

计划今年下半年向客户提供以1c工艺为基础的HBM4样品，并推进质量测试。 

目前SK海力士主导着HBM市场。 SK海力士以1b工艺为基础，在全球首次成功批量生产了12层HBM3E产品， 还向客户提供了HBM4样品。

三星电子计划将1c工艺扩大到HBM4和高性能服务器用DRAM、DDR5等高端存储器产品群。

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05  HBM4生产转向无助焊剂键合设备

主要客户SK海力士和美光，已决定在HBM4生产中使用无助焊剂键合设备。 

韩美半导体预计HBM4键合设备销售面临困难。 

美光正从荷兰BESI公司采购无助焊剂键合设备。

业内表示：“预计美光公司将从BESI订购无助焊剂键合设备，这对韩美半导体来说是一个打击，因为韩美半导体是美光第五代HBM3E设备的独家供应商。”

无助焊剂键合是三星电子、SK海力士和美光正在研究从HBM4开始应用的技术。 

HBM通过将DRAM芯片堆叠在一起而制成的，随着技术不断演进，高度超过12层，降低芯片厚度正成为竞争的关键。 

无助焊剂键合是一种通过在不使用助焊剂的情况下，键合DRAM芯片来减少HBM整体厚度的技术，助焊剂用于对准DRAM并去除氧化膜。由于技术难度相对较低，相比完全去除DRAM连接部分的混合键合，无助焊剂键合机受到青睐。

此外，无助焊剂键合机还有助于提高HBM良率。

这是因为12层或12层以上的HBM在制造过程中需要经过热压工艺，而芯片之间的助焊剂往往会导致问题并降低良率。

SK海力士、美光科技和三星电子都在以各种方式测试，将无助焊剂键合技术应用于HBM4。

SK海力士还在考虑将韩华半导体和ASMPT作为无助焊剂键合机的供应商。

韩华半导体今年5月重组了架构，开发无助焊剂键合机。

业界猜测，韩华半导体的首款无助焊剂键合机最早可能在下半年亮相。

此外，荷兰的BESI和新加坡的ASMPT也已开始生产无助焊剂键合机。

这两家公司最近都将无助焊剂键合机添加到产品阵容中。

韩美半导体已经推迟了无助焊剂键合机的发布时间。

最初预计将在下半年发布无助焊剂键合机，但根据披露的数据，该公司将在2028年开发用于第8代HBM6的无助焊剂键合机。

这是因为制定HBM标准的联合电子设备工程委员会（JEDEC）放宽了HBM4的高度标准。

高度标准的放宽，使得使用现有的混合键合设备方法生产HBM4成为可能。

由于主要客户SK海力士和美光正在测试无助焊剂键合技术，外界担心韩美半导体可能会在下一代HBM设备市场失去竞争力。

预计韩美半导体今年销售额将有40%来自SK海力士，60%来自海外市场。

主要客户正在实现设备供应商多元化，但如果拥有技术竞争力，就能有机会获得订单。