中国存储制造商正瞄准HBM市场。

目标是在今年年底前完成第四代HBM产品HBM3的量产认证流程。

该厂商正在积极扩建位于北京和合肥的工厂，预计将通过这些基地提升HBM产能。

业界预计，将在两年内实现目前最先进的第五代HBM（HBM3E）的量产。

专家评估，如果成功进入高端市场，影响将难以想象。

数据显示，HBM去年占DRAM出货量的5%，但销售额却高达20%，附加值之高令人感叹。

受美国出口限制影响，中国市场HBM需求将进一步扩大。

如果中国厂商能够化解困境，积蓄力量，迈向全球舞台，未来HBM的竞争格局将有望改变。

中国在研发投资方面也展现出积极姿态。

去年，在美国、日本和欧洲等竞争对手还在喘息之际，中国却提高了研发投资比例。

据统计，中国去年将半导体总销售额的9.2%用于研发，比上年（7.6%）增长了1.6%。

这与同期美国（19.3% → 17.7%）、日本（12.0% → 5.7%）和欧洲（14.0% → 10.8%）等主要国家的比例均有所下降形成鲜明对比。

中国存储器即将占据全球10%的市场份额。在美国加强对先进半导体技术管控的背景下，中国凭借稳固的国内市场和技术自力更生，在一年内实现了市场份额翻番。

美国半导体技术和设备出口的制裁并未阻挡中国半导体的崛起。

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02 SK海力士加强无锡工厂后端工艺

SK海力士正在建立以美国和中国为中心的全球生产体系。

SK海力士与中国封装测试合资公司签署了新合同，正在推进后端工艺技术升级和产能扩张。

合同履行期限为2025年7月1日至2030年6月30日。

SK海力士根据海太半导体的成本管控水平向海太半导体提供奖励。

如果SK海力士本年度的年度营业利润为非正数，则奖励金额不予发放；如果根据本合同的约定，触发奖励支付条款，奖励金额最低应为230万美元，最高不得超过1000万美元。

为了将对外泄露风险降到最低，海太半导体在任何情况下均不得向SK海力士的竞争者以及其关联公司提供后工序服务。如果海太半导体拟开展第三方服务，应至少提前6个月取得SK海力士的书面同意。

随着AI半导体需求的不断增长，后端工艺的重要性日益显著，此次合作有望成为构建稳定供应链的关键基石。 

中国太极工业宣布，旗下子公司海太半导体（Hi-Tech Semiconductor）将与SK海力士签署第四阶段后段制程委托服务合同。

海太半导体是2009年在无锡成立的后段制程合资公司，SK海力士和太极工业分别持股45%和55%。 

SK海力士与海太半导体之间的后处理合同，采用五年为单位的中长期续约制度。

第四份合同侧重于通过“总成本+合同利润”模式确保利润稳定。

该合同被视为一项战略演变，加强后处理服务的专业性和盈利能力。 

SK海力士在中国的后端业务主要在无锡和重庆运营。在无锡，毗邻DRAM生产工厂的合资公司海太半导体负责DRAM后端封装和测试。在重庆，SK海力士拥有一座全资拥有的NAND闪存后端工厂。该工厂2013年开始建设，2014年投入运营。重庆的第二家工厂2019年竣工。 

SK海力士正致力于通过建立横跨韩国利川、中国重庆和无锡以及美国印第安纳州的全球后端生产三个基地来增强产能。

半导体制造工艺的微型化接近极限，解决后端工艺中高性能、集成度和热管理等技术挑战的重要性增加。

尤其是对人工智能和HBM等新技术的需求正在飙升，而封装和测试技术已成为迈向半导体性能的“最终门槛”。 

通过在中国设立后工序合资企业实现本地化，是分散政策风险、提升客户响应速度的战略选择，有利于在中国这个全球最大的半导体市场。由于该工序的劳动力成本占比较高，因此在成本方面也具有优势。

通过加强与本地企业的合作，配合中国的半导体自主发展政策，可以同时确保政策认可度和运营稳定性。

SK海力士还正在美国印第安纳州西拉斐特建设首个本地后处理生产基地。

去年宣布将投资约38.7亿美元，建设一个用于AI内存的先进封装生产基地。计划2028年下半年开始量产下一代HBM及其他产品。

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 03  DRAM货源短缺，力积电产能满载

DDR4规格DRAM近期逆势成为奇货可居，不仅报价及价格都同步上涨。

业界传出，不仅OEM／ODM大厂抢占现有货源，IC设计厂都加大投片力道，使力积电DRAM代工产能满载。

预期力积电DRAM代工订单满手效应下，下半年营运有望转盈。

力积电表示，近期明显感受到需求强劲，推升DRAM代工产能的产能利用率，从先前七成左右来到满载。

DRAM市场近期吹起DDR4旋风，不仅单季报价已上涨逾两成，第3季合约报价看涨双位数，这波商机可望一路延续到年底，现阶段OEM／ODM厂除了不断向模组厂及渠道商大笔收购现有货源之外，为避免下半年面临断货窘境，更开始要求IC设计厂加大投片力道。

由于DDR4需求紧缺，业界透露，OEM／ODM厂要求IC设计厂下订大笔订单。

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04  三星电子业绩恐不如预期

机构宣布，三星电子半导体业务表现不及预期，维持“买入”评级，目标价6.9万韩元。

前一日收盘价为5.81万韩元。

将第二季度营业利润从6.95万亿韩元下调至6.24万亿韩元，将半导体营业利润从2.75万亿韩元下调至2.08万亿韩元。

非存储销售额将环比增长11%，但预计亏损2.3万亿韩元，由于成本增加，与上一季度相比几乎没有改善。

由于需求低迷，存储业务的大幅增长预计也将与预期持平或略低于预期。

DRAM的平均销售价格预计将比上一季度上涨3%，而近期DDR4传统DRAM价格的飙升，由于销售额占比较小，对业绩的贡献较小。

随着客户继续以eSSD为中心调整库存，NAND预计将继续出现亏损。

预计S25的智能手机销量将略微超过上一代机型，同时由于A系列在新兴国家销售火爆，MX的营业利润预计将同比增长16%。

随着10纳米产能的提升，将在下半年开始增产DDR5，并致力于扩大LPDDR5X和128GB服务器模块等高附加值产品的比例。

然而，由于下半年全球不确定性持续存在，上半年积累库存的OEM厂商需求可能会减弱，市场形势将更加不确定。

最重要的是，为了迎接明年，恢复竞争力至关重要，对于代工厂而言，确保2nm GAA的大客户对于未来运营美国工厂并提升业绩至关重要。

是否进入英伟达12层HBM3E产品供应链也是关键。

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05  创见发布工业级8TB大容量SSD

模组大厂创见资讯宣布推出全新SSD475P 2.5吋SSD，专为工业应用与高效能环境所设计。

产品内置断电保护技术（Power Loss Protection, PLP），系统突遭断电时，通过内置电容持续供电，确保资料完整写入，有效降低资料遗失风险，实现高度可靠的储存效能。

采用SATA III 6Gb/s传输介面与112层3D NAND Flash，提供高达8TB容量，兼具高速存取与大容量优势。

持续读写速度分别可达560/530MB/s，内置DRAM，能有效提升随机存取效能与整体耐用度。

针对长时间、大量资料传输的应用场景，SSD475P更展现优异的资料写入稳定度，采用Direct Write Firmware，确保连续写入不掉速的效能，适用于高频繁存取与高写入需求的工控应用，满足工业电脑、嵌入式系统及资料记录设备等对效能与稳定性要求极高的使用需求。

为适应严苛作业环境，SSD475P通过创见100%严谨测试，确保在-40°C至85°C操作温度下依然稳定运作。

未修正位元错误率（UBER）达10-17，展现卓越的资料完整性保障。

另外SSD475P支持包括动态热能管理，防止过热造成性能衰退；S.M.A.R.T.健康监控，即时掌握状态；4K LDPC ECC自动纠错功能；AES加密 & TCG Opal，提升资料安全性。

SSD475P具备超大容量、断电保护与高耐用性，特别适用于需长时间运作并重视资料完整性的应用场域，如工业自动化、嵌入式系统、监控录影、军工航太及服务器边缘运算等，稳定支持即时储存、高速存取与极端环境下的运作需求。