市场传出神秘买盘大举出手扫货，最新DDR4 DRAM现货价包括8Gb、16Gb等规格单日都暴涨近8%，涨幅令业界瞠目结舌。

本季以来报价已翻涨一倍以上，不仅跨过DRAM厂损益平衡点，更达到让业者暴赚的水准。

业界指出，三星、美光等大厂锁定DDR5、HBM等高阶DRAM市场，将陆续停供DDR4。

使得近期DDR4现货价惊惊涨，但单日涨幅多约在2%以内。

根据以往惯例，DRAM现货价一天要是涨逾5%以上“都有大事发生”。

例如原厂工厂爆炸、停工才会发生，简单说就是会让市场疯狂抢货。

如今DDR4不仅报价比DDR5报价更高，呈现“价格倒挂”，现货价甚至一天大涨近8%。

业界直言：“至少十年没看过现货价单日涨幅这么大。”

其中，DDR4 8Gb（1G×8）3200现货价仅半个月就从5月30日均价2.73美元涨至当下的3.775美元，大涨38.27%。

本季以来更从3月31日的1.63美元起涨，迄今已暴涨近1.32倍。

DDR4 16Gb（1G×16）3200现货价则从5月30日均价6.1美元涨至当下的8.2美元，6月迄今半个月大涨34.42%。

本季以来从3月31日的3.95美元起涨，已劲扬逾1.07倍。

目前DDR4最新现货报价已冲上2022年首季左右的价位。

法人认为，随着业者技术更精进与折旧降低，如今DDR4现货价不仅已跨过DRAM厂损益平衡点，获利也更有看头。

法人指出，三星、美光将陆续停供DDR4，市场忧心后续供给不足，引发追价抢货意愿。

神秘买盘大举出手扫货DDR4，象征OEM/ODM厂正全力巩固DDR4货源。

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02 三星成为DDR4涨价最大受益者

三星DDR4和LPDDR4在2025年中期的库存消耗远超最初预期。

在DRAM行业中，DDR4和LPDDR4被视为成熟制程产品。

主要DRAM制造商目前正集中生产新型DDR5和LPDDR5X产品，并将于2025年底前大幅削减DDR4和LPDDR4的产量。

客户为应对减产正积极备货DDR4和LPDDR4，导致相关产品价格在短期内快速上涨。

预计这一价格趋势将对三星2025年第二季度的存储业务产生积极影响。

尽管成熟制程DRAM产品并非该公司的核心业务，但需求的增长将使三星能够快速消化现有库存。

行业消息人士透露，三星已通知客户其移动设备和家电产品将实施高于行业平均水平的涨价。

三星成熟制程DRAM的强劲表现预计将部分抵消其第二季度HBM业务的疲软态势。

据估计，三星在2025年第一季度供应了6亿至8亿GB的HBM，远低于2024年第四季度预计的20亿GB。

2025年第二季度的HBM供应规模预计将与第一季度相近。

IBK证券分析师认为，2025年第二季度DDR4价格涨幅最大。

三星成为最大受益者，在销量、价格和利润率方面均呈现积极变化。

不过，三星的HBM订单量低于此前预期。

考虑到这一点，三星内存业务在第二季度的盈利表现可能与之前的预测相差不大。

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 03  原厂在HBM4量产前调整战略

随着第六代 HBM4 内存即将进入量产阶段，三星电子和SK海力士正积极重构半导体设备供应链以增强竞争力。

三星正加速推进设备自给化战略，逐步淘汰日本供应商新川的热压键合(TCB)设备，转而采用子公司Semes自主研发的解决方案。

该公司已在HBM3E生产中部署基于非导电薄膜(NCF)技术的Semes TCB设备，并计划将相同技术应用于HBM4。

三星还计划为HBM4采用混合键合技术，该技术可降低功耗、提升传输速度并改善散热性能，以取代传统的硅通孔(TSV)工艺。

这些举措是三星全面提升性能、缩小与SK海力士在高端HBM市场差距的重要布局。

相比之下，SK海力士正通过新增韩华Semitech作为TCB设备供应商来多元化其供应链，逐步减少对韩美半导体的依赖。

2025年上半年，韩华在订单量上已超越韩美，标志着供应商格局的转变。

SK海力士将继续在HBM4中使用TSV技术，并计划在HBM4E中采用混合键合技术。

其战略核心是通过促进供应商竞争来确保灵活性、稳定良率和成本效益。

美光科技也加入了HBM4内存竞赛，于6月10日宣布开始出货基于1-beta DRAM工艺的36GB样品。

美光计划于2026年实现量产，以支持下一代AI平台。

机构预测，HBM市场规模预计将在2025年达到31.7亿美元，到2030年增长至100.2亿美元，2025至2030年期间的复合年增长率为25.86%。

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04  三星2纳米良率仅约4成

台积电和三星电子都将在今年下半生产2纳米制程，但三星良率为40%，不及台积电的超过60%，而三星在吸引订单方面也遭逢挑战。

业界消息指出，台积电2纳米制程预定下半年在宝山厂和高雄厂生产，是该公司2纳米芯片首次采用环绕式闸极( GAA )架构。

和目前的3纳米制程相比，2纳米效能估计提高10%~15%，能耗降低25%~30%，电晶体密度增加15%。

知情人士说，台积2纳米良率已突破60%，跨越稳定量产的门槛。 

Counterpoint Research预测，台积电2纳米的产能利用率，将在今年第4季前达到100%，速度快过之前所有制程，下单大客户估计包括苹果、高通、AMD、英特尔、联发科等。

三星电子也拟于今年下半开始生产2纳米，据悉良率约为40%。

尽管三星在芯片生产商中率先采用GAA架构生产3纳米，但初期阶段持续苦于低良率。

该公司打算以先前采用GAA的经验，提升2纳米的稳定与产出。

三星并未说明2纳米产品为何，一般预料是自家的Exynos 2600处理器，将用于2026年初发布的Galaxy S26旗舰智能手机。

三星挑战在于吸引科技大客户的订单，以维持该公司先进制程的竞争力。

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05  索尼获西数订单，倍增关键零件产量

索尼宣布，在采用HAMR技术的HDD领域上，将和美国西部数据进行合作，西部数据成为索尼HAMR HDD关键零件“镭射二极体”的新客户。

在HDD市场，美国希捷握有近5成市占，为龙头厂，西部数据市占约4成、为第2大厂，而索尼现已供应HAMR HDD用镭射二极体给希捷。

因生成式AI普及、资料中心用HDD市场扩大，而索尼因接获西部数据订单，因此计划将大容量（HAMR式）HDD用镭射二极体产量倍增。

索尼半导体事业公司“索尼半导体解决方案”将投资约50亿日元，在泰国工厂增设产线。

西部数据将在2027年上半年开始量产HAMR HDD，首先将售卖储存容量40TB以上的产品。

机构预计，2028年HAMR HDD出货量预估将接近5,000万台，将占整体市场过半比重，而西部数据目标在HAMR HDD市场上取得4成以上市占率。