01 存储供需结构反转，驱动报价飙涨
2025年第2季，全球三大DRAM原厂三星、SK海力士、美光相继宣布减产DDR4并积极转产DDR5及HBM，提升产品组合毛利率。
长鑫存储5月跟进DDR4产能收敛，短期市场DDR4供应迅速紧缩，合约与现货价格同步上涨，回顾历史，原厂减产一向为存储产业周期落底反转前兆，
预期本轮减产效应将驱动3Q25起价格进一步向上，模组厂库存水位低和渠道优势者将优先受惠。
目前主流型DRAM价格自低点反弹已达80%涨幅，利基型DRAM上涨15%。
原厂资本支出明显朝DDR5及HBM倾斜，DDR4未来供给日趋保守，模组厂ASP有望持续走高，市场短期仍将维持供给紧俏格局，
预估DRAM报价涨势延续至3Q25，模组厂获利年增态势明确，供应链库存回补动能同步提升。
AI PC销售量快速成长，Gartner预估2026年渗透率将达50%，单机DRAM平均搭载量由传统PC的 10.9GB成长至AI PC的32GB甚至更高。
预估至2027年，AI PC DRAM用量将占总市场达16%，结构性需求拉升下，PC用DRAM市场占比将由12%提升至24%，为存储市场带来长线需求支撑。
短线存储产品报价动能充沛，预估至3Q25主流DRAM续涨10-15%；利基型DRAM，小幅上涨0-5%，其中具备DDR5产品组合优势与库存策略灵活的厂商，
将成最大受惠者，预估模组厂毛利率及 EPS高弹性，有望进一步上修。
存储产业在本轮供需再平衡下，迎来新一轮景气周期，AI PC应用成长为中长期需求关键引擎，三大原厂产能策略转向高阶DRAM与HBM，短线DDR4供给紧俏带动ASP持续提升，模组厂及IC厂商营运拐点达成。
风险部分，原厂减产幅度及持续性仍需追踪，若AI PC渗透率未如预期或终端需求转弱，价格走势恐将提前钝化，中长期仍应留意HBM与DDR5平台技术转换节奏，避免库存错配风险。
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02 中国存储巨头大幅增加出货量
继去年之后，长鑫存储计划今年大幅增加DRAM出货量。
尤其是在DDR5和LPDDR5市场，预计将迅速提升市场份额，而这两个市场此前一直由三星电子、SK海力士和美光等大公司主导。
据Counterpoint Research预测，今年DRAM出货份额将从第一季度的6%扩大到年底的8%。
正在扩大产能，今年产能预计将达到每月30万片，比上一年增长近50%。
加速从DDR4和LPDDR4等传统（成熟）内存向DDR5和LPDDR5等先进内存的过渡。
增长也反映在出货量上，在DDR5和LPDDR5的市场份额在第一季度不到1%，预计在第四季度将上升至7-9%。
不过在先进DRAM制造所需的HKMG工艺方面遇到了困难 。
HKMG是一种在DRAM晶体管内部的绝缘膜中，使用高介电常数 (K) 材料来阻止漏电流并提高静电电容的技术。
因此，下一代DRAM基于1a（第四代）工艺制造的可能性越来越大，因为与1b（第五代10nm级）相比，1a工艺的工艺难度相对较低。
这家厂商专注于3D DRAM创新，并且预计将持续扩张。
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03 SK海力士有望创下季度最高业绩
机构预测SK海力士第二季度有望打破历史最佳季度业绩，目标股价上调至35万韩元。
SK海力士第二季度销售额将环比增长12%，达到19.7万亿韩元，营业利润将环比增长18%，达到8.8万亿韩元。
这是假设汇率在1420韩元-1390韩元之间，仍预计季度业绩将再创新高。
这得益于HBM的稳健表现、关税不确定性（预购）的拉动，以及DDR4需求的影响。
与HBM不同，通用需求不可避免地会受到上半年拉动的影响，第三季度平均销售价格可能会走低。由于近期DDR4价格飙升和需求影响持续到第三季度，预计下行趋势将比最初预期的要温和。
预测今年营业利润将达到35万亿韩元，同比增长49%。
2026年HBM的价格和产量将很快与客户达成协议，关键在于能否维持现有HBM3E等产品的营业利润率水平。
2026年主力产品HBM4，近期样品测试速度和可见度来说，该公司仍然比竞争对手更具优势，预计谈判价格将维持现有OPM水平。
从7月和8月开始，随着人工智能需求的企业对企业交易扩大的迹象得到确认，半导体行业预计将重新进入多重上升阶段，并且正如之前的人工智能第一轮（2023-2024年）一样，预计会出现重新评级。
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04 存储爆炸性增长，2025年2000亿美元
2024年数据中心AI训练工作负载需求激增，带动行业迎来新一轮增长势头。
这标志着行业从2022-2023年严重的周期性低迷中强劲反弹，此前的低迷曾引发DRAM和NAND行业历史性的运营亏损。
AI驱动的需求引发了整个存储器行业的爆炸式增长，并推动HBM占据主导地位，远远超过了整体DRAM市场。
关税担忧影响，市场规模增长
预计2024年至2030年间，全球HBM收入将以惊人的33%的复合年增长率增长，到2030年在DRAM市场的份额将达到前所未有的50%。
相比之下，NAND行业持续面临逆风，受消费需求弱于预期以及整个供应链库存水平上升的拖累。为了应对压力，领先的供应商已实施积极的供应侧调整，包括降低晶圆厂利用率和多次减产，恢复市场平衡，并为更可持续的复苏奠定基础。
与此同时，NOR闪存市场在2024年也经历了健康反弹（同比增长约15%），这得益于出货量增长和价格环境改善，尤其是在消费领域。
原厂加大投入先进技术，中国厂商主导市场
为了应对2025年将出现的缺货局面，SK海力士、三星和美光都在积极提升良率并扩大生产规模，HBM市场竞争日益激烈。
中国正在加大存储制造的本土化力度，缩小与全球领先企业的技术差距。
这一战略举措现已延伸至个人电脑和消费电子领域，进一步加剧了全球存储供需格局的压力。
2024年，CXMT凭借极具竞争力的DDR3和DDR4产品价格，颠覆了DRAM市场，促使领先供应商加速向DDR5和HBM等高端解决方案迁移
2024年12月推出了中国首款搭载16纳米第四代DRAM芯片的国产DDR5内存模组，标志着本土供应链向前迈出了重要一步。
同一时间，YMTC开始批量出货第五代294层3D NAND芯片。这款TLC设备基于Xtacking 4.0架构，是市场上最先进的NAND解决方案之一。
其他中国厂商也在巩固这一势头，JHICC已恢复DDR4生产，2025年提升产能，目标是每月增加6万片晶圆；SwaySure Technology正在推进DRAM生产，为中国存储生态系统增添更多多样性。
CMOS键合、新单元设计和3D架构将重新定义
在众多先进封装方法中，CMOS键合已成为实现更高密度、更高性能存储器件的最有前景的解决方案之一。
3D NAND领域，YMTC凭借Xtacking™架构率先实现了晶圆间混合键合，Kioxia和SanDisk也在218层CMOS键合阵列(CBA)设计中紧随其后。
三星和SK海力士预计将在即将到来的4xx层节点中采用类似方法，三星已获得YMTC的IP授权。
展望未来，未来的3D NAND器件可能需要键合三个不同的晶圆（逻辑芯片+双存储阵列），实现超过500层的扩展。
DRAM领域，预计平面设计将通过0c/0d节点（2033-2034年）不断发展，这得益于持续的架构和工艺创新。
目前业界标准的6F² DRAM单元，预计将最终被基于CMOS键合布局中垂直晶体管（VT）的4F²单元架构所取代。
在此之后，普遍认为向3D DRAM架构的过渡是不可避免的。截至2025年，所有主要的DRAM供应商都在积极探索多种3D集成途径。
领先的概念包括带有水平电容器的1T-1C单元，以及无电容器结构，例如增益单元（2T0C）和基于浮体的1T DRAM。
包括应用材料公司、泛林集团和东京电子在内的半导体设备领导者，正在加大对先进工具解决方案的投资，应对3D DRAM制造的独特工艺挑战。
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05 三星电子1c DRAM良率大幅提升
三星电子提高了搭载于HBM4的10nm级第六代（1c）DRAM的良率，为年内量产开了绿灯。
据评估，大胆的重新设计决策和工艺优化工作促成了良率的提升。
三星电子近期将HBM4的1c DRAM晶圆良品率提升至冷测试40%左右，热测试50-60%左右。
10nm级DRAM制程技术的发展顺序为“1x（第1代）、1y（第2代）、1z（第3代）、1a（第4代）、1b（第5代）。到了第6代1c制程，线宽进一步变窄，制程难度也呈指数级增长。
考虑到一年前1c DRAM的冷测试良率接近0%，最近的良率结果令人鼓舞。
据称，移动端1c DRAM的良率比HBM4高出约10%。
三星电子通过改变设计，调整电路密度和热设计，改善了电流和散热特性。最终能够同时确保工艺一致性和产品稳定性。
在实际设计变更之前，尽管在热测试中保证了一定的良率，但在冷测试中几乎所有产品都被判定为缺陷产品。
三星电子还开展了工艺优化工作，例如精确补充HBM4封装对准工艺，并改善测试过程中的热量分布均匀性。
这是因为微对准误差和热量集中是导致HBM多层结构缺陷率上升的主要原因。
三星电子目标是在年内将1c DRAM的冷测试良率提高到60%，热测试良率提高到70-80%，实现HBM4的实际量产。
